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　　電子設備熱管理中需要用到能有 效散熱的材料，由于碳基材料(石墨烯、碳納 米管、金剛石、石墨等)在電子設備的應用沒有帶來令人驚喜的效果，通過不斷研究，CBN氮化硼應運而生，研究表明，純立方氮化硼(cBN)，在室溫下熱導率達到1600 W/mK，是金剛石的百分之75，非常適合使用。

　　超 高的熱導率和6.2 eV的寬禁帶帶隙，使立方氮化硼在微電子材料熱管理、高功率電子和光電器件等方面表現出潛在的應用前景，實驗發現，通過不同方法獨立制備出熱導率可以媲美金剛石的砷化硼晶體，熱導率可達900 W/mK～1300 W/mK，而預測的理論值甚至可高達2200 W/mK，價格卻比金剛石更便宜。

　　由于砷和硼本身的質量差異，造成聲學聲子和光學聲子存在較大的頻率間隙，此特性讓熱在晶體之間的傳導更具效率，在半導體領域，砷化硼晶體和硅半導體具有類似的1.5 ev帶隙，熱膨脹系數也接近，當整合進入半導體器件時，由于熱應力的降低，可以減少熱界面材料的使用量[5]。

　　總結來說，CBN氮化硼硬度僅次于金剛石，而熱穩定性遠高于金剛石，對于Fe族金屬及其合金具有較大的化學惰性。因此CBN加工黑色金屬及其合金材料有獨到之處。為這類硬而韌的難加工材料的加工提供了新的手段，鑒于金剛石適于加工硬脆材料，CBN恰恰能與之互為補充，因此CBN取代普通磨料的趨勢已明顯，大量事實證明采用CBN磨料磨具有無可比擬的 性。

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